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Si4842BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
40
30
V GS = 10 V thr u 4 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
20
10
0.4
0.2
T C = 125 °C
25 °C
3 V
- 55 °C
0
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
0.006
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
4500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
3600
0.005
V GS = 4.5 V
2700
1 8 00
0.004
0.003
V GS = 10 V
900
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 25 A
8
V DS = 10 V
1.6
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 4.5 V
6
4
V DS = 15 V
1.2
1.0
V GS = 10 V
V DS = 20 V
2
0
0. 8
0.6
0
14
2 8
42
56
70
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73532
S09-0228-Rev. C, 09-Feb-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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